ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
ورود |عضویت رایگان |راهنمای سایت |عضویت کتابخانه ها
عنوان
مقاله

بررسی اثرمیزان تخلخل برخواص فتودیودی CdO/PSi/Si به روش طیف سنجی تونلی روبشی (STS)

سال انتشار: 1386
کد COI مقاله: NCV03_009
زبان مقاله: فارسیمشاهده این مقاله: 1,584
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

خرید و دانلود فایل مقاله

متن کامل (فول تکست) این مقاله منتشر نشده و یا در سایت موجود نیست و امکان خرید آن فراهم نمی باشد.

مشخصات نویسندگان مقاله بررسی اثرمیزان تخلخل برخواص فتودیودی CdO/PSi/Si به روش طیف سنجی تونلی روبشی (STS)

محمود صمدپور - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف تهران
اعظم ایرجی زاد - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف تهران
سید محمد مهدوی - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف تهران
عباس آذریان - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف تهران

چکیده مقاله:

در این پژوهش اثر میزان تخلخل برخواص فتودیودی نمونه های چندلایه ای CdO/PSi/Si روش طیف سنجی تونلی روبشی ( SpectroscopyScanning Tunneling ) مطالعه شد. لایه سیلیکن متخلخل ( PSi) کمک آندایزالکتروشیمیایی سیلیکین نوع +p ولایه اکسید کادمیم ( CdO) به روش لایه نشانی لیزر پالسی و در فشار torr10-5 ساخته شد. نمونه هارا در هوا و به مدت 10 دقیقه در دمای 500 درجه سانتیگراد پخت کردیم تا کمبوداکسیژن در آنها جبران شود. ضخامت و قطر حفرات لایه متخلخل، و مورفولوژی لایه اکسید کادمیم به روشهای AFM و SEM بررسی شدند. طیف XRD و طیف عبور اپتیکی به منظور بررسی خواص کریستالی و تعیین شکاف انرژی اکسید کادمیم استفاده شدند. با تغییر پارامترهای موثر در آندایز الکتروشیمیایی سیلیکن، نمونه های CdO/PSi/Si با درصد تخلخل های مختلف ساخته شدند. بررسی منحنی جریان - ولتاژ نمونه ها در حضور نور و تاریکی به روش طیف سنجی تونلی روبشی (STS) وجود یک درصد تخلخل بهینه را به منظور بهبود خواص فتودیودی نمونه ها نشان داد.

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

کد یکتای اختصاصی (COI) این مقاله در پایگاه سیویلیکا NCV03_009 میباشد و برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/57231/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
صمدپور، محمود و ایرجی زاد، اعظم و مهدوی، سید محمد و آذریان، عباس،1386،بررسی اثرمیزان تخلخل برخواص فتودیودی CdO/PSi/Si به روش طیف سنجی تونلی روبشی (STS)،سومین کنفرانس ملی خلاء،تهران،https://civilica.com/doc/57231

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1386، صمدپور، محمود؛ اعظم ایرجی زاد و سید محمد مهدوی و عباس آذریان)
برای بار دوم به بعد: (1386، صمدپور؛ ایرجی زاد و مهدوی و آذریان)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مدیریت اطلاعات پژوهشی

صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
نوع مرکز: دانشگاه دولتی
تعداد مقالات: 13,930
در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مقالات مرتبط جدید

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

پشتیبانی