بررسی و مقایسه موبیلیتی ترانزیستور بر مبنای Si و MoS2 لایه نازک
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 682
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BPJCEE01_121
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1395
چکیده مقاله:
با توجه به اینکه تکنولوژی به سمت کمتر شدن حجم می رود هدف از انجام این مقاله استفاده از این مواد در ادوات نیمه هادی مورد استفاده در مدارهای مجتمع مانند ترانزیستور است. بر خلاف گرافن، باند گپ پایین (1-ev2) موجود در لایه های نیمه هادی مولبیدن دی سولفات که بوسیله مهندسی موبیلیتی آن افزایش یافته است یک جذابیت دست یافتنی برای استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان مولبیدن دی سولفات تک لایه با لایه عایق اضافی high-K است که می تواند محدودیت های تجاری سازی آنرا توجیه کند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سمیه عمرانی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
فرحناز ذاکریان
دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
مجید پوراحمدی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :