مقایسه خصوصیات فتودیودهای بهمنی InGaAS-Inp در 1550nm

ما انبوهی از خنک کننده را با کاربرد مخصوص در مدار کامل (ASIC) ارائه کرده ایم که برای اتصال با فتودیودهای بهمنی (APDها) برای تک فوتون یافت شده در 1550nm مورد استفاده قرار می گیرد. برای ارزیابی این عمل، ابتدا ما اجرای آنرا با خنک کننده استاندارد الکترونیکی مقایسه می کنیم. سپس چهار InGaSa – Inp APD با استفاده از ASIC را آزمایش کردیم، هر دو در حالت های شتاب آزاد و حالت ورودی اجرا شدن تا تحقیق روی خصوصیات کلی صورت گیرد. ما نه تنها روی پارامترهای استاندارد تحت شرایط مختلف تحقیق کردیم، بلکه روی پارامترهایی مثل پایداری شارژی و زمان خنک کننده نیز تحقیق کردیم. همچنین ما از مدل اختلاف در امواج رادار چندگانه در شمارش خصوصیات بعد از پالس در حالت ورودی و همچنین در مدل تاثیرات بعد از پالس در حالت شتاب آزاد استفاده کردیم. نتایج بوضوح نشان می دهد که اجرای APD ها با خنک کننده روی مدار چیپ به شکل قابل توجهی از خنک کننده مناسب الکترونیکی جلو افتاده استو و آنها را برای کاربردهای عملی قبل از رمز نویسی آماده می سازد.