بررسی و تعیین نقش عایق سطح بندی شده و نامتقارن ترکیبی ، بر جریان نشتی گیت و بهبودعملکرد ترانزیستورهایNMOS کانال کوتاه

در این مقاله روشهای کاهش جریان نشتی گیت با استفاده از عا یق و مواد دی الکتریک بصورت متقارن بشکل استک و پشته و همچنین بصورت سطح بندی شده و غیر متقارن بررسی و مقایسه شده است ، استفاده از عایق ترکیبی بصورت سطح بندی و نامتقارن منجر به بهبود عملکرد دیوایس از نظر کاهش جریان نشتی گیت و توان نشتی گردیده است .

نویسندگان

شاپور گل بهارحقیقی

استادیار دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه شیراز و استاد مدعو دانشگاه آزاد اسلامی واحد سپیدان

خداداد خالق پناه

دانشجوی کارشناسی ارشد رشته مهندسی برق – الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد سپیدان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

]1[Ampadu, B. F. a. P. (2002). Leakage Power M inimization ...
]3Dr. Nandita DasGupta, A. J. (2012). New Materias for the ...
]6[Masselos, K. (2002). Basic MOS Theory, SPICE Simulation CMOS Fabrication ...
]1[CMOS Fabrication: Department of Electrical & Electronic Eng ineeringImp erial ...
]2[Saleh, R. (2010). Leakage and Low-Power Design (pp. ...
]10[Shauly, E. N. (2012a). CMOS Leakage and Power Reduction in ...
]12[Shauly, E. N. (2012b). CMOS Leakage and Power Reduction in ...
]14[Sill, D.-I. F. (2002). Low Leakage VLSI Design. In F. ...
]15[Sweta Chander, P. S., S Baishya. (2013). International Journal of ...
]16[Verma, M. _ Mishra, D. A., & Mishra, M. P. ...
]11[Zeitzoff, P. M. (2005). ITRS MOSFET Scaling Trends, Challenges, and ...
]12[Masselos, K. (2002). Basic MOS Theory, SPICE Simulation ...

نمایش کامل مراجع

صدور گواهی نمایه سازی
من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

https://civilica.com/doc/548486

شناسه ملی سند علمی:

ICCSR01_113

تاریخ نمایه سازی: 5 بهمن 1395

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:

گل بهارحقیقی، شاپور و خالق پناه، خداداد،1394،بررسی و تعیین نقش عایق سطح بندی شده و نامتقارن ترکیبی ، بر جریان نشتی گیت و بهبودعملکرد ترانزیستورهایNMOS کانال کوتاه،اولین کنفرانس بین المللی علوم پایه و تحقیقات بنیادی،آباده،https://civilica.com/doc/548486

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1394، گل بهارحقیقی، شاپور؛ خداداد خالق پناه)
برای بار دوم به بعد: (1394، گل بهارحقیقی؛ خالق پناه)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:

رتبه علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد سپیدان

نوع مرکز: دانشگاه آزاد

تعداد مقالات: 599

در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مقالات پیشنهادی مرتبط

مقالات فوق بر اساس داده کاوی مقالات مطالعه شده توسط پژوهشگران محاسبه شده است.