تحلیل و شبیه سازی مدارهای منطقی بااستفاده ازترانزیستورهای تک الکترونی
محل انتشار: سومین کنفرانس ملی توسعه علوم مهندسی
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 570
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
AIHE10_235
تاریخ نمایه سازی: 5 بهمن 1395
چکیده مقاله:
بانزدیک شدن به حدنهایی کوچک سازی ابعادترانزیستور های اثرمیدانی تلاشها برای جایگزین کردن این ترانزیستورها روبه افزایش است ادوات تک الکترونی به دلیل ابعادبسیارکوچک درحد نانومتر و مصرف توان بسیارکم امیدهای زیادی را برای استفاده درمدارهای مجتمع اینده دربین محققان ایجادکردها ست بادنبال کردن مسیرکاهش ابعادترانزیستورهای اثرمیدان به معرفی ترانزیستورهای تک الکترونی به عنوان کاندیدایی مناسب برای جایگزین کردن آنها می رسیم درادامه به بررسی ترانزیستورتک الکترون و هم خانواده های آن به لحاظ فیزیکی و کاربردی می پردازیم
نویسندگان
هانیه جعفری کوشکدشتی
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک موسسه آموزش عالی تنکابن
محمدکاظم انوری فرد
استادیار گروه علوم مهندسی دانشکده فنی و مهندسی شرق گیلان دانشگاه گیلان رودسر واجارگاه ایران
احمد رضایی جوردهی
استادیار موسسه آموزش عالی ایندگان تنکابن ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :