تعیین بارهای سطحی Si در ساختارهای p-Si/SiGe/Si

در این مقاله دانسیته بارهای سطحی سیلیکان در ساختارهای دور آلائیده p-Si/Si0.81Ge0.19/Si ارزیابی شده است. تجربه و نظریه نشان میدهد که در نوار ظرفیت Ev این ساختار در محل لایه آلیاژی SiGe یک چاه کوانتمی (QW) وجود دارد و با انتقال حف رههای حاصل از ناخالصی های نوع P در لایه آلائیده به ترازهای کم انرژی درون چاه کوانتمی، در نزدیکی فصل مشترک پایین Si/SiGe/Si یک گاز حفرهای دو بعدی 2DHG تشکیل می شود. دانستیه سطحی گاز حفره ای دو بعدی nh ، علاوه بر درصد Ge در آلیاژ (x) و سایر پارامترهای ساختا ر، به دانسیته بارهای سطحی nsur روی سطح Si پوششی بستگی دارد و با افزایش ضخامت لایه پوششی ، دانسیته بارهای سطحی کاهش و به تبع آن دانسیته گاز حفره ای دو بعدی موجود در ساختار افزایش می یابد. با مقایسه نتایج تجربی و محاسبات نظری حاصل از حل خودسازگار معادلات شرودینگر و پواسون برای ساختار مذکور، نتیجه می گیریم که دانسیته بارهای سطحی nsur در ساختارهای مورد مطالعه با کاهش ضخامت لایه پوششی ، افزایش می یابد و تغییرات آن در گستره (در متن اصلی موجود می باشد) ارزیابی می شود و همچنین فاصله تراز فرمی از لبه نوار ظرفیت در سطح آزاد Si برابر با ΔEFV = (0.5 ± 0.05)eV محاسبه میشود.