جابجایی نسبی باند میانی در فیلم نازک ZnS با تغییر غلظتناخالصی Cu2+ و تاثیر آن بر خواص نوری

الایش نانوذرات 2+Cu در نیم رسانا پهن گاف ZnS در سطح فیلم نازک با استفاده از روش سنتز شیمیایی آبی انجام گرفت لایه نشانی بصورت واکنش جذب یونی لایه ای پی درپی (SILAR) انجام شد. با استفاده ازدستگاه جذب UV-vis موقیعت باند میانی درگاف نیم رسانا رسوب داده شده درفیلم نازک ZnS:Cu مورد مطالعه وبررسی قرار گرفت. که مشاهده شد با افزایش غلظت یونهاای 2+Cu سطوح فرمی به سمت لبه باند ظرفیت ZnS حرکت می کنند. طیف فوتولومینسانس در فیلم های لایه نازک غیر الایشی و الایش یافته با +2Cu در ZnS در زیر 355 نانومتر ثبت شده است. طیف انتشار یافته در نمونه ها یا نشر آبی در 436 نانومتری رانشان میدهد. پی ماکزیمم مربوط به لومینسانس ی شیفت درطیف قرمز را دراثر افزایش غلظت یونهای 2+Cu را نشان می دهد ،که سطح پذیرنده از یونهای 2+Cu میباشد که ی نوار بسته شده در ZnS است.

کلیدواژه ها:

لاتین ZnS/cu فوتولومینسانس ، باندمیانی ، گاف انرژی ، جذب Uv-Vis