بررسی خواص ترابردی الکترونها در نیمرسانای InP در میدانهای الکتریکی ضعیف
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 569
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ARGCONF01_002
تاریخ نمایه سازی: 26 شهریور 1395
چکیده مقاله:
با حل مستقیم معادله ترابردی بولتزمن به روش تکرار ، بستگی تحرک پذیری به دما و چگالی الکترونها در نیمرسانای InP محاسبه و با دو نیمرسانای InAs و Ga0.51In0.49P مقایسه شده است . در محاسبه تحرک پذیری ، پراکندگی از فونون های آکوستیکی ، پیزوالکتریک ، اتم های ناخالصی یونیده و فونون های اپتیکی قطبی برای یک نوار رسانش غیر سهموی با توابع موج ترکیبی در نظر گرفته شده است . نتایج محاسبات با داده های تجربی و محاسبه با تقریب زمان واهلش که در مقالات منتشر شده ، مقایسه شده است که توافق خوبی بین نظریه و تجربه را نشان می دهد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
فاطمه زکیه توحیدی
دانشگاه علوم پزشکی زاهدان، گروه فیزیک پزشکی، زاهدان، ایران