طراحی تقویت کننده کم نویز باندX
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 615
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TEDECE02_011
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395
چکیده مقاله:
وظیفه یک تقویت کننده ی کم نویزLNA که در ورودی تمامی مدارهای گیرنده استفاده می شود، تقویت سیگنال دریافتی آنتن می باشد. به علت پایین بودن سطح سیگنال، وجود نویز در این طبقه موجب خواهد شد که نویز با سیگنال دریافتی ترکیب شده و در نهایت سیگنال اصلی محو گردد. بنابراین پایین بودن سطح نویز مهم ترین خصوصیت این نوع از تقویت کننده است. در این مقاله یکLNA در باند فرکانسی X طراحی شده است. در ابتدا با استفاده از یک ترانزیستور MOSFET یک تقویت کننده طراحی گردید. اضافه کردن دو طبقه مدار تطبیق امپدانس در ورودی و خروجی این ترانزیستور با استفاده از خطوط میکرواستریپ باعث گردید تا گین یکنواختdB12 و عدد نویز کمتر ازdB6.0 ایجاد شود. داشتن ضریب انعکاسVSWR کمتر از 2 در ورودی و خروجی، و پایداری مدار در کل بازه فرکانسی همزمان با کوچک نگه داشتن ابعاد مدار از مزیت های این LNA می باشد. طراحی مدار چاپی این LNA بر روی فیبرRO4003 با ابعادcm283cmانجام شده است.
نویسندگان
ابوالفضل وقایعی
دانشجوی دانشکده تحصیلات تکمیلی، دانشگاه علوم و فنون هوایی شهید ستاری
علیرضا ملکی جوان
دانشیار، دانشکده تحصیلات تکمیلی، دانشگاه علوم و فنون هوایی شهید ستاری
سیدامین اله ایزدی
استادیار، دانشکده تحصیلات تکمیلی، دانشگاه علوم و فنون هوایی شهید ستاری
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :