بررسی رفتار فرکانس بالای ترانزیستورهای اثر میدانی دو گیتی بدون پیوند

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 853

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICELE01_343

تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395

چکیده مقاله:

در این مقاله انواع ساختارهای مختلف ماسفت های دوگیتی بدون پیوند با استفاده از نرم افزاره ATLAS شبیه سازی و پارامترهای مربوط به تغییرات جریان درین ، هدایت الکتریکی، مقدار خازن گیت در نهایت فرکانس قطع عملیاتی افزاره بررسی شده است. در ماسفت های دوگیتی بدون پیوند با طول گیت متفاوت وقتی طول گیت را کاهش دادیم جریان درین افزایش یافته و این افزایش موجب افزیش هدایت الکتریکی و فرکانس قطع عملیاتی افزاره شد. همچنین در ماسفت دوگیتی بدون پیوند با دوپینگ Nd=1e19 cm-3 ما شاهد افزایش جریان، هدایت الکتریکی و فرکانس قطع عملیاتی افزاره در مقایسه با دوپینگ های پایین تر خواهیم بود.

نویسندگان

پیمان نیک سرشت

دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد ممقان

سیدرضا حسینی

استادیار گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوی

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • ی.پ.تسویدیس، عملکرد و مدلسازی ترانزیستور، MOS ترجمه دکتر مرتضی فتحی ...
  • I2 ر. پیرت، ادوات اثر میدانی، ترجمه دکتر محمد کاظمی ...
  • L. Chang, " Scaling Limits and Design Considerations for Double-Gate ...
  • Chitrakant Sahu, Jawar Singh Department of Electronics and Communic ation ...
  • نمایش کامل مراجع