شبیه سازی و مقایسه مدارات پایه منطقی با استفاده از نرم افزار Hspice
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,519
فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CBCONF01_0525
تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395
چکیده مقاله:
ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله کربنی (CNTFET) به دلیل اندازه کوچک و خاصیت تغییر پلاریته درآنها انتظار می رود که بهترین جایگزین برای ترانزیستورهای فلز- اکسید نیمه هادی کربنی (CMOS) باشند دراین مقاله مقایسه ای بین مدارهای پایه ای CMOS و CNTFET و همچنین ترانزیستور CNTFET در طراحیمدارات پایه ای با منطق سه تایی با نرم افزار HSPICE انجام شده است برای شبیه سازی از مدل 0.13u برایترانزیستور CMOS و مدل CNTFET دانشگاه استنفورد استفاده شده است در شبیه سازی ها مقادیر توانمصرفی، تاخیر مدار و فاکتور تاخیر توان (PDP) محاسبه شده است و این مقادیر در پایان با هم مقایسه شده اند.مدارات پایه به ترتیب در تکنولوژی CNTFET با منطق سه تایی نسبت به باینری و همچنین نسبت به تکنولوژی 0.13U)CMOS)، از لحاظ تاخیر، مصرف توان و PDP بهبود داشته اند.
کلیدواژه ها:
ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله کربنی ، ترانزیستورهای فلز اکسید نیمه هادی کربنی ، منطق سه تایی ، فاکتور تاخیر توان
نویسندگان
سیده اکرم حسینی
دانشجوی دکتری مهندسی برق الکترونیک دانشگاه آزاد رشت
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :