سیده اکرم حسینی - دانشجوی دکتری مهندسی برق الکترونیک دانشگاه آزاد رشت

ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله کربنی (CNTFET) به دلیل اندازه کوچک و خاصیت تغییر پلاریته درآنها انتظار می رود که بهترین جایگزین برای ترانزیستورهای فلز- اکسید نیمه هادی کربنی (CMOS) باشند دراین مقاله مقایسه ای بین مدارهای پایه ای CMOS و CNTFET و همچنین ترانزیستور CNTFET در طراحیمدارات پایه ای با منطق سه تایی با نرم افزار HSPICE انجام شده است برای شبیه سازی از مدل 0.13u برایترانزیستور CMOS و مدل CNTFET دانشگاه استنفورد استفاده شده است در شبیه سازی ها مقادیر توانمصرفی، تاخیر مدار و فاکتور تاخیر توان (PDP) محاسبه شده است و این مقادیر در پایان با هم مقایسه شده اند.مدارات پایه به ترتیب در تکنولوژی CNTFET با منطق سه تایی نسبت به باینری و همچنین نسبت به تکنولوژی 0.13U)CMOS)، از لحاظ تاخیر، مصرف توان و PDP بهبود داشته اند.

ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله کربنی، ترانزیستورهای فلز اکسید نیمه هادی کربنی، منطق سه تایی، فاکتور تاخیر توان