Effect of Multiplication Region Mole Fraction on Characteristics of APDs
محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,731
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP14_022
تاریخ نمایه سازی: 22 اسفند 1386
چکیده مقاله:
In this paper we investigate the performance of avalanche photodiode considering the variation of multiplication region mole fraction. We show that excess noise factor and breakdown voltage, at a given bias voltage, increase for higher mole fraction of Al in AlxGaAs-APDs but on the other hand, performance factor and mean gain decrease inversely. For calculation of the static characteristics of Al1xGa1-xAs-APDs we use the dead space multiplication theory (DSMT).
نویسندگان
S. Masudy-panah
Department of Electrical Engineering, Islamic Azad University, Science and Research Branch, Tehran, Iran
V. Ahmadi
Departemant of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :