سنتز نقاط کوانتومی CdSe و نقاط کوانتومی هسته-پوسته CdSe@CdS با روش فوتوشیمیایی و بررسی خواص اپتیکی آنها

در این مقاله نقاط کوانتومی CdSe با استفاده از روش تابش امواج ماکروویو و CdSe@CdS با استفاده از روش جدید تابش فوتوشیمیایی سنتز شده است. از cdso4وna2seo3وna2s2o3 به عنوان مواد اولیه و از تیوگلیکولیک اسید TGA به عنوان عامل پوششی که اندازه نانوذرات را کنترل میکند، استفاده شدهاست. ساختار کریستالی و خواص اپتیکی نقاط کوانتومی با استفاده از آنالیزهای XRD ، UV-Vis ، PL بررسی شده است. در تمامی این آنالیزها تشکیل CdSe و رشد پوسته CdS بر روی سطح نانوذرات CdSe تایید شده است. آنالیز XRD فاز هگزاگونال را برای CdSe با میانگین اندازه نانوذرات حدود1/5 نانومتر نشان داده است. برای نقاط کوانتومی CdSe@CdS قله پراش به زوایای بالاتر منتقل شده و تشکیل CdSe@CdS تایید شد.

کلیدواژه ها:

سنتزCdSe ، CdS @ CdSe ، نقاط کوانتومی ، تابش امواج ماکروویو ، روش فوتوشیمیایی