افزایش میزان جذب و جریان خروجی ترانزیستور نوری فلز- نیمه رسانا- فلز (MSM) به کمک نانوتوری فلزی پلاسمونی
محل انتشار: سومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی پژوهش هایی کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 564
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF03_0722
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله، یکک ترنازیستور نوری فلز- نیمه رسانا- فلز (MSM)، با بکلربردن روزنه ی زیرطول موج، نانوتوری نانو ذرات به روش عددی المان محدود شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که با تاباندن موج الکترومغناطیسی TM، بازوایای تالبش 0/7-0/8 رادیان و طول موج 720-740 نانومتر پلاسمون های سطحی برانگیخته می شود و با انتخاب ماده ی GaAs بعنوان زیرلایه می توان به بیشترین مقدار جذب (0/99=α) دست یافت. در این وضعیت جریان کلکتور ترانزیستور 0/54 میکروآمپر می باشد. به جهت ایجاد ویژگی تقویت کنندگی در این ساختار از زیرلایه نوع p ( با توجه به اینکه دیود نوری MSM تک حاملی و از نوع n است ) استفاده شده است.
کلیدواژه ها:
ترانزیستور نوری فلز- نیمه رسانا- فلز (MSM) ، پلاسمون پلاریتون های سطحی (SPP) ، موچ پلاسمون سطحی (SPW) ، نانو توری
نویسندگان
محمدرضا شاهی وظیفه
گروه مهندسی برق و الکترونیک، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زهدان، ایران
محمدعلی بیرجندی
گروه مهندسی برق و الکترونیک، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زهدان، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :