یک نوسان ساز کنترل شده با ولتاژ پر سرعت با ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی
محل انتشار: سومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی پژوهش هایی کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 549
فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF03_0364
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
چکیده مقاله:
در سال های اخیر، برای کوچک تر کردن مقیاس ترانزیستورهای ار میدانی و اصلاح کارایی این ابزار، ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربنی (CNTFET ها) توجه زیادی را به عنوان نماینده تکنولوژی دارای سیلیسیوم اضافی به خود جلب کرده است. در این مقاله روشی در راستای بهینه سازی نوسان ساز کنترل شونده توسط ولتاژ که در حلقه قفل شده فز به کار می رود، ارائه شده است. به کارگیری ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی در طراحی ساختار، موجب کاهش چشمگیر ابعاد شده و به خاطر ویژگی های خاصی که دارند؛ موجب افزایش سرعت، کاهش نویز پذیری، توان حرارتی بالا، توان مصرفی کم و بهبود راندمان ساختار نسبت به نمونه مشابه خود با فناوری CMOS می شوند. همچنین استفاده از ساختار سلف فعال در هر کدام از سلول های تاخیر باعث افزایش سرعت و کاهش سطح چیپ شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
امین امانی بنی
دانشجو دانشگاه شهرکرد
نوشین قادری
استادیار دانشگاه شهرکرد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :