یک نوسان ساز کنترل شده با ولتاژ پر سرعت با ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 549

فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ELEMECHCONF03_0364

تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395

چکیده مقاله:

در سال های اخیر، برای کوچک تر کردن مقیاس ترانزیستورهای ار میدانی و اصلاح کارایی این ابزار، ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربنی (CNTFET ها) توجه زیادی را به عنوان نماینده تکنولوژی دارای سیلیسیوم اضافی به خود جلب کرده است. در این مقاله روشی در راستای بهینه سازی نوسان ساز کنترل شونده توسط ولتاژ که در حلقه قفل شده فز به کار می رود، ارائه شده است. به کارگیری ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی در طراحی ساختار، موجب کاهش چشمگیر ابعاد شده و به خاطر ویژگی های خاصی که دارند؛ موجب افزایش سرعت، کاهش نویز پذیری، توان حرارتی بالا، توان مصرفی کم و بهبود راندمان ساختار نسبت به نمونه مشابه خود با فناوری CMOS می شوند. همچنین استفاده از ساختار سلف فعال در هر کدام از سلول های تاخیر باعث افزایش سرعت و کاهش سطح چیپ شده است.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور مبتنی بر نانولوله کربنی ، سلف فعال ، نوسان ساز کنترل شده ولتاژ

نویسندگان

امین امانی بنی

دانشجو دانشگاه شهرکرد

نوشین قادری

استادیار دانشگاه شهرکرد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Deng. J, :Device Modeling And Circuit Performance Evaluation For Nanoscale ...
  • Dimensional FET: Application _ Carbon -Nanotube FETs", IEEE Trans. Electron ...
  • Ramiah. H, Keat. Ch. W, and Kanesa. J, "Design of ...
  • Applications", Department of Electrical and Computer Engineering, Ryerson University, Toronto, ...
  • Yuan. F, _ Fully Differential VCO Cell with Active Inductors ...
  • Yang. J, Kim. C-Y, Kim. D-W, and Hong. S, "Design ...
  • Lu. T-Y, Yu. C-Y, Chen. W-Z and Wu C-Y, :Wide ...
  • Wei. F, Hao. Y, Haipeng. F, Junyan. R snd Kiat. ...
  • Lin. S, Kim. Y, Lombardi. F. _ CNTFE T-Based Design ...
  • Martel. R, Schmidt. T, Shea. H. R, Hertel. T and ...
  • Razavi. B, "Design of Analog CMOS Integrated Circuits", New York, ...
  • Than achayanont _ A. :CMOS transistor-only active inductor for IF/RF ...
  • نمایش کامل مراجع