طراحی، شبیه سازی و بهبود پارامترهای ساختاری در قطعه دیود اثر میدانی FED(Field Effect Diode) با استفاده از نرم افزار TCAD-SILVACO

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,563

فایل این مقاله در 15 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ELEMECHCONF03_0219

تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395

چکیده مقاله:

در این مقاله دیود اثر میدانی (FED: Field Effect Diode) با استفاده از نرم افزار TCAD-SILVACO در ابعاد میکرومتری ( طول قطعه : 15 میکرومتر، ارتفااع یا عمق قطعه : 33.5 میکرومتر، عرض قطعه : 2.5 میکرومتر ) به صورت سه بعدی شبیه سازی شده است. برای به دست آوردن عملکرد مطلوب تر، ساختار موردنظر به صورت (SOI: Silicon On Insulator) طراحی شده است. منحنی (I-V) آن در دو حالت روشن و خاموش بررسی شده است. همچنین نمودارهای تغییر چگالی حامل ها و نوار انرژی در زیر کانال در دو حالت روشن و خاموش استخراج شده است تا بتوان درک درستی از نحوه عملکرد قطعه داشت و نیز دلیل پدیده های فیزیکی مشاهده شده در قطعه توضیح داده شود. در ادامه، تاثیر تغییر ضخامت اکسید گیت و میزان آلاییدگی روی منحنی (I-V) و نوار انرژی در زیر کانال در دو حالت روشن و خاموش برسی شده است. برای بهبود عملکرد قطعه در حالت خاموش، ساختار اصلاح شده دیود اثر میدانی (MFED: Modified Field Effect Diode) به صورت سه بعدی شبیه سازی شده است. منحنی (I-V) آن در دو حالت روشن و خاموش بررسی شده است. همچنین نمودارهای تغییر چگالی حامل ها و باند انرژی در زیر کانال در دو حالت روشن و خاموش استخراج شده است. در ادامه اثر تغییرات ضخامت اکسید گیت و آلایش ناحیه ها بر روی جریان حالت روشن و خاموش قطعه MFED به طور جداگانه بررسی شده است.

کلیدواژه ها:

دیود اثر میدانی (FED: Field Effect Diode) ، نرم افزار TCAD SILVACO ، شبیه سازی

نویسندگان

داود اسلامی

دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی تهران

مینا امیر مزلقانی

عضو هیئت علمی دانشکده برق، استادیار گروه الکترونیک، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی تهران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • I1] ایرج شیخیان، بررسی عملکرد آی سی های A/D با ...
  • منا امیرمزلقانی- زهرا منعم حق دوست، طراحی مدارها آنالوگ و ...
  • مینا امیرمزلقانی، مدل‌سازی رفتار و بررسی سیگنال کوچک قطعه Modified ...
  • Farshid Raissi, _ A Brief Analysis of the Field Effect ...
  • I.Sheikhian and F.Raissi, _ High-speed Digital family using Field Effect ...
  • I.Sheikhian and F.Raissi, _ An Improved Differential Comparator with Field ...
  • Iraj Sheikhian and Farshid Raist _ Simulation Results for Nanoscae ...
  • نمایش کامل مراجع