بررسی مشخصات الکتریکی ترانزیستور PMOSFET با ساختار نا متجانس سیلیسیم / سیلیسیم - ژرمانیوم تحت کرنش در ابعاد نانومتری

در این مقاله عملکرد ترانزیستور p-MOSFET با ساختار سیلیسیم / سیلیسیم - ژرمانیوم تحت کرنش (Strain) برسی شده است. در این ساختار، حضور لایه سیلیسیوم / سیلیسیوم - ژرمانیوم در کنار لایه ای از سیلیسیوم، موجب عدم تطبیق شبکه ای بین این لایه ها و به تبع آن ایجاد کرنش در لایه سیلیسیوم - ژرمانیوم می شود. این پدیده موجب افزایش قابلیت حرکت حفره ها و نیز تشکیل چاه پتانسیلی در محل فصل مشترک سیلیسیوم / سیلیسیوم - ژرمانیوم می گردد. از آنجا که در این افزاره دو لایه وارون نقش کانال را ایفا می کنند دو ولتاژ آستانه وجود خواهند داشت. نشان داده ایم که افزایش درصد مولی ژرمانیوم در لایه سیلیسیوم - ژرمانیوم موجب افزایش اختلاف دو ولتاژ آستانه می گردد. همچنین افزایش درصد مولی ژرمانیوم نیز موجب افزایش خازن گیت می شود.

کلیدواژه ها:

افزاره ماسفت ، درصد مولی ژرمانیوم ، قابلیت حرکت حاملها ، کرنش ، ولتاژهای آستانه