مطالعه تاثیر ضخامت لایه ZnO به عنوان لایه میانی بر خواص فیزیکی لایه های نازک ITO

هدف این مقاله، بهبود خواص فیزیکی لایه ای نازک اکسید ایندیوم با آلایش قلع (ITO) می باشد. از اینرو لایه های ITO بر روی زیرلایه های شیشه نازک و لایه اکسید روی به عنوان لایه بافر، به روش کندوپاش RF لایه نشانی شده اند. پس از لایه نشانی در محیط گاز آرگون، نمونه های در محیط خلاء در دمای 400 درجه سانتیگراد گرماهی شده اند. خواص الکتریکی، اپتیکی، ساختار کریستالی و ساختار سطحی این لایه ها با کمک آنالیزهای اندازه گیری مقاومت چهار پروبی، طیف UV/VIS/IR و XRD و SEM مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهند که با لایه نشانی لایه های ITP بر روی اکسید روی، لایه به دست آمده تنها در جهات ارجح کریستالی (222) و (400) رشد می یابند. این در حالیست که لایه مشابه بر روی زیرلایه شیشه ای از نوع پلی کریستالی بوده و شدت قله های کریستالی کمتر می باشند. از میان لایه های iTO بر روی زیرلایه شیشه و لایه های اکسید روی با ضخامت 50 ، 100 و 150 nm و با شرایط مشابه لایه نشانی شدند، لایه ای بهینه است که بر روی لایه بافر 100nm لایه نشانی شده و دارای مقاومت ویژه الکتریکی 0/9 ضربدر 10 به توان -4 Ωcm و میانگین درصد عبور نوری 80% در ناحیه قابل دید می باشد.

کلیدواژه ها:

اکسیدروی ، ساختار کریستالی ، کندوپاش RF ، لایه های نزک ITO ، لایه بافر.