طراحی و شبیه سازی واحد های حافظه SRAM 7 ترانزیستوری با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی

در این مقاله واحد های حافظه SRAM مورد مطالعه قرار می گیرد، همچنین به نحوه طراحی سلول های حافظه با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی پرداخته می شود. هدف از این تحقیق معرفی سلول جدید حافظه با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله ی کربنی است که به نسبت به مدل cmos مشابه آن، تأخیر کمتر و نیز توان مصرفی پایین تری داشته باشد. این تحقیق به کمک ابزار شبیه سازی Hspice و با به کارگیری مدل ارائه شده در دانشگاه Stanford (2012) انجام شده است. نتایج نشان می دهد مدارات معرفی شده در مقایسه نمونه های قبلی دارای خصوصیات و پارامترهای مداری بهتری هستند. همچنین با توجه به شبیه سازی انجام شده در نرم افزار Hspice دینامیک حدود 10% و PDP حدود 34% کاهش یافته است.

کلیدواژه ها:

تأخیر خواندن و نوشتن ، ترانزیستور اثر میدان ، سلول حافظه ، نانو لوله کربنی ، CNTFET