ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
ورود |عضویت رایگان |راهنمای سایت |عضویت کتابخانه ها
عنوان
مقاله

محاسبه جریان تونل زنی گیت در ترانزیستورهای MOSFET با عایق گیت نازک

سال انتشار: 1394
کد COI مقاله: NCAEC01_017
زبان مقاله: فارسیمشاهده این مقاله: 525
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 9 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله محاسبه جریان تونل زنی گیت در ترانزیستورهای MOSFET با عایق گیت نازک

حسن مسلمی - مجتمع آموزش عالی فنی و مهندسی اسفراین
ایمان عباسپور - دانشگاه سلمان فارسی کازرون
مهرداد عمیدی - دانشکده برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کازرون

چکیده مقاله:

جریان تونل زنی اکسید گیت در ماسفت ها یکی از مهمترین عوامل در تحلیل و اندازه گیری پارامترهای این قطعات است. در کار پژوهشی حاضر، ابتدا اثر جریان گیت در ترانزیستورهای ساخته شده در فناوری روز نیمه هادی بررسی شد و لزوم محاسبه آن ذکر شد و سپس با استفاده از مدلی جدید به محاسبه ی عرض چاه پتانسیل ایجاد شده در ناحیه ی وارونگی و همچنین تابع موج الکترون ها در واسط بین اکسید و نیمه هادی پرداخته شد و در نهایت به کمک نتایج حاصل از این محاسبات چگالی جریان تونل زنی گیت شبیه سازی شد. عملکرد لایه ی وارونگی به شکل یک چاه پتانسیل متقارن ساده سازی شده است. تابع موج به دست آمده از مدل پیشنهادی در واسط، مقداری غیر صفر است که از سازگاری بیشتری با نتایج تجربی جدید ارایه شده در مقالات معتبر برخوردار است. نتایج شبیه سازی های مدل پیشنهادی با مدل های معتبر دیگر مقایسه شد و انطباق بالای آن را نشان داد.

کلیدواژه ها:

تابع موج، ضخامت اکسید، چاه پتانسیل، چگالی جریان تونل زنی

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

کد یکتای اختصاصی (COI) این مقاله در پایگاه سیویلیکا NCAEC01_017 میباشد و برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/461116/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
مسلمی، حسن و عباسپور، ایمان و عمیدی، مهرداد،1394،محاسبه جریان تونل زنی گیت در ترانزیستورهای MOSFET با عایق گیت نازک،کنفرانس ملی دستاورهای نوین در برق وکامپیوتر،اسفراین،،،https://civilica.com/doc/461116

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1394، مسلمی، حسن؛ ایمان عباسپور و مهرداد عمیدی)
برای بار دوم به بعد: (1394، مسلمی؛ عباسپور و عمیدی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • هشتم و نهم مهرماه ماه 1394، مجتمع آموزش عالی اسفراین ...
  • Dennard RH, Gaensslen FH, Yu H-N, Rideout VL, Bassous E, ...
  • Majkusiak B.، Gate tunnel current in an MOS transistor". IEEE ...
  • S. M. Sze, Kwok K. Ng, Physics of Semicond uctor ...
  • Momose HS, Ono M, Yoshitomi T, Ohguro T, Nakamura S, ...
  • geometry MOSFETs: IEDM Tech Dig 1994: pp.593- 6. ...
  • Xiaoyan Liu , Jinfeng Kang, Ruqi Han, :Direct tunneling current ...
  • Shih W-K, Wang EX, Jallepalli S, Leon F, Maziar CM, ...
  • ultra-thin oxide0. Solid-State Electron 1998; vol 42(6): pp. 997-1006. ...
  • N. Yang, W. Kicklen Hensen, J.R. Hauser, et al., "Modeling ...
  • measurements in _ devices", IEEE Trans. Electron Devices, 1999 ; ...
  • Cai J, Sah C-T.، Gate tunneling currents in ultrathin oxide ...
  • L.F. Register, E. Rosenbaum, K. Yang, "Analytic model for direct ...
  • Appl. Phys. Lett. 1999, vol74 (3): pp. 457-459. ...
  • S.A. Hareland, S. K rishnamurthy _ S. Jallepalli, et al., ...
  • channel MOSFETs, IEEE Trans. Electron Devices, 1996, vol 43 ...
  • K. F. Schuegraf, C. C. King, and C. Hu, "Ultra- ...
  • K. F. Schuegraf and C. Hu, ،Hole Injection Sio Breakdown ...
  • Devices, vol. 1994, vol 41, no. 5: pp. 761-767. ...
  • W. C. Lee and C. Hu, "Modeling CMOS tunneling currents ...
  • tunneling, " IEEE Tran. _ Electron Devices. , Jul. _ ...
  • C.H. Lin, J.B. Kuo, "Closed-form partitioned gate tunneling current model ...
  • , vol 53: pp.1 191-1197. ...
  • pp.1682- م Electron Devices. JULY 2008, vol 55. no. [16] ...
  • poly- Si/SiO, /Si structures". Solid-State Electron, 1995; vol 38(8): pp.1465-71. ...
  • d e vices, septemb er 2082-2(090. ...
  • from NMOS inversion layers, " Solid State Electron, Oct. 2001, ...
  • McMillan, 2004: _ 380-397 and ...
  • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: دانشگاه دولتی
    تعداد مقالات: 434
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مقالات پیشنهادی مرتبط

    مقالات مرتبط جدید

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

    پشتیبانی