بررسی هیسترزیس با توجه به رانش یون ها در ممریستور با اعمال ورودی های مختلف
محل انتشار: هفتمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 719
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE07_366
تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395
چکیده مقاله:
ممریستور چهارمین عنصر اصلی مدار بعد از مقاومت، سلف و خازن معرفی شده است، که رفتار آنالوگی دارد و یک عنصر پسیو، حافظه دار و با سرعت سوئیچینگ بالا و در ابعاد نانو ساخته شده است . منحنی هیسترزیس جریان - ولتاژ ممریستور باعث می شود بتواند به عنوان حافظه مقاومتی غیر فرار عمل کرده و مقادیر خود را تا زمان اعمال ولتاژ بعدی ذخیره و حفظ کند. حال برای اینکه بتوانیم استفاده مناسب تری از این عنصر داشته باشیم باید عملکرد مدل رفتاری ممریستور را بررسی و مشخصات آن استخراج شود که در این مقاله به بررسی رفتار این عنصر با تغییرنوع ورودی و پارامترهای آن مانند فرکانس و نوع ولتاژ ورودی وغیره،پرداخته ایم و حاصل این تغییرات را بر روی منحنی مشخصه ی ولتاژ - جریان مشاهده نمودیم.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :