طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز فرا پهن باند با توان مصرفی پایین و عددنویز مناسب

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,031

فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

PFCONF01_091

تاریخ نمایه سازی: 30 بهمن 1394

چکیده مقاله:

در این پایاننامه پروسه کامل تحلیل، طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده کم نویز فراپهن باند با جزئیات کامل و دقیق به همراه مسائلو چالش های مهم پیرامون فراهم ساختن شرایط برای تحقق پو شش کامل باند فراپهن از فرکانس 3/1 تا 10/6 گیگاهرتز، کاهش توان مصرفی،عدد نویز پایین و ... ارائه شد. نوآوری اصلی این پروژه در پیاده سازی صحیح تکنیک تنظیم ضربدری به منظور افزایش پهنای باند و نیز تکنیکاستفاده مجدد جریان برای کاهش توان مصرفی مدار با بهره گیری از حداقل تعداد ترانزیستور و چیدمان درست المان ها و انتخاب مقادیر آنها درجهت تحقق اهداف کلی پروژه و معرفی طرحی به مراتب بهتر از نقطه نظر شاخص های عملکرد آن در مقایسه با دیگر ساختارهای ارائه شده درسال های گذ شته می با شد. به نحوی که تا حدود زیادی از نظر شاخص های مهم سنجش عملکرد مدار از جمله پهنای باند، توان مصرفی، عددنویز و در رأس آنها ضریب شایستگی (FOM)، مدار بهینهترین حالت را شاهد هستیم. پهنای باند بسیار بالا و 7/5 گیگاهرتزی تقویت کننده کم نویز پیشننننهادی، تطبیق امندانس مناسنننب در ورودی و خروجی آن به طوری که پارامترهای (S(11 و (S(22 به ترتیب پایین تر از 10/489- و 14/630- دسی بل، بهره ولتاژ و بهره توان نسبتاً بالا به ترتیب برابر با 20/501 و 13/311 دسی بل، عدد نویز خوب در محدوده 2/521-2/149 دسی بل، خطسانی مطلوب در محدوده فرکانس کاری مدار به طوری که شاخص نقطه تقاطع مرتبه سوم (IIP3) برابر با dBm. است، از نقاط قوت برج سته و قابل توجه طرح پیشنهادی می با شد به طوریکه این موارد به ضریب شا یستگی (FOM) برابر با 44/25+ دسی بل منجر شده است که بسیار قابل توجه می باشد.

کلیدواژه ها:

تقویتکننده کم نویز (LNA) ، فراپهن باند (UWB) ، تکنیک استفاده مجدد جریان ، ضریب شایستگی (FOM)

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • T. H. Lee, The design of CMOS Rad io-Frequency Integrated ...
  • B. Razavi, Desing of Analog CMOS Intagrated Circuits, McGraw-Hill, Chap. ...
  • A. Abidi. "High Frequency Noise Measurement on FETs with Small ...
  • Gonzalez G. Microwave transistor amplifiers: analysis and design (Second edition), ...
  • 3dB Voltage Gain 6.1dB NI 60GHz LNA in 65nm A؛" ...
  • _ Khanpour, K. W. Tang, P. Garcia, and S. P. ...
  • C. F. Liao and S. I. Liu, _ broadband noise ...
  • K. Chen, J. Lu, B. Chen, and S. Liu, _ ...
  • A. I. A. Galala, R. Pokharel, H. Kanaya and K. ...
  • _ Bevilacqua and A. M. Niknejad, _ ultrawideband CMOS low ...
  • Qiuzhen Wan, Chunhua Wang, "Design of 3.1-10.6GHz ultra-wideband CMOS low ...
  • H.-Y. Yang, Y.-S. Lin and C.-C. Chen, _ dB NF ...
  • J.H.Lee, C.-C. Chen and Y.-. Lin, "0.18 um 3.1-10.6 GHz ...
  • T.Kihara, T.Mastuoka, and K.Taniguchi, _ 1.0 V, 2.5 mV, Transformer ...
  • 18-um CMOS UWB LNA with 5 GHz Interference Rejection" _ ...
  • نمایش کامل مراجع