طراحی ترانزیستورنانو وایرسیلیکانی با نسبت جریان روشن به خاموش بهینه

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 410

فایل این مقاله در 14 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

DCEAEM02_070

تاریخ نمایه سازی: 30 بهمن 1394

چکیده مقاله:

ترانزیستورهای نانووایرسیلیکانیمی توانند با قطری درحدود چندنانومتر و باشکلهای استوانه ای مستطیلی و یامثلثی تولید شوند این ترانزیستورها میتوانند بعنوان بلوکهای اصلی برای قطعات نانو الکترونیک مانند ترانزیستورهای اثرمیدان مورداستفاده قراربگیرند دراین مقاله عملکرد ساختارترانزیستورSi NWFET وبررسی تاثیر پارامترهای ساختار برنسبت جریان روشن به خاموش ازجمله ضخامت لایه ی اکسید ضخامت لایه ی نانووایر میزان ناخالصی و تعدادنانووایرها فاصله نانووایرها و غیره بااستفاده ازنرم افزار سیلواکو می پردازیم و یک ساختار با نسبت جریان روشن به خاموش بهینه برای Si NWFET ارایه میکنیم مدلسازی و درنهایت ساختارپیشنهادی ازلحاظ ابعادوپارامترهای فیزیکی بهینه سازی خواهد شد

نویسندگان

محمدامین ناصری

گروه برق و الکترونیک واحد یزد دانشگاه آزاد اسلامی یزد ایران

محمدرضا شایسته

گروه برق و الکترونیک واحد یزد دانشگاه آزاد اسلامی یزد ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • A /1Soshi Sato, _ Study on Electrical Characteristics of Silicon ...
  • NAZRIL _ BIN MOHAMAD, "DEVCE _ _ LEVEL PERFORMA NCE ...
  • F. Leonard and , Tersoff, ،Role of fermi-level pinning in ...
  • J. W. Mintmire and C. T. White, «Universal density of ...
  • S. Ramo, J. R. Whinnery, and T. V. Duzer, Field ...
  • S. Luryi, "Quantum capacitance devices, " Appl. Phys. Lett, vol. ...
  • J. Guo et al., «، Assessment of siconMOSand carbon nanotube ...
  • A. Javey et al., "High dielectrics for advanced carbon nanotube ...
  • نمایش کامل مراجع