طراحی تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند با بهره بالا و توان مصرفی کم در تکنولوژی 81.0μm CMOS
محل انتشار: کنفرانس بین المللی علوم و مهندسی
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 817
فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICESCON01_0346
تاریخ نمایه سازی: 25 بهمن 1394
چکیده مقاله:
این مقاله ساختار جدیدی از یک تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند با بهره بالا و توان مصرفی کم در باند فرکانسی GHZ 9/2 21/6 که با تکنولوژی - TSMC1/20μm شبیه سازی شده است را شرح می دهد. در این مقاله فیدبک موازی مقاومتیبرای دستیابی به تطبیق ورودی پهن باند پیشنهاد شده است و یک سلف در طبقه میانی راهکار جدیدی برای افزایش بهره ارائه می دهد. نتایج شبیه سازی این مدار ماکزیمم بهره dB 21 ،تطبیق امپدانس ورودی کمتر از dB 21 ،مینیمم عدد نویز - dB 7/4 را نشان می دهد.تقویت کننده کم نویز پیشنهادی mw 6/3 توان به ازای منبع تغذیه v 2/0 مصرف می کند
کلیدواژه ها:
نویسندگان
میثم عظیمی روئین
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی پردیس علوم و تحقیقات خراسان شمالی
عباس گلمکانی
استادیار دانشگاه صنعتی سجاد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :