An Asynchronous Memory Array for Robust Embedded Systems
محل انتشار: سیزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1384
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 2,122
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE13_223
تاریخ نمایه سازی: 27 آبان 1386
چکیده مقاله:
This paper presents a fully asynchronous 1k´4bit memory array with no assumption regarding to gate delays; thus suitable for systems with considerable changes in the voltage level and the environmental variables. The nominal voltage level was 3.3v, and it is shown that the design can still operate properly at the voltage levels as low as 1.2v. The design is based on QDI timing model and implemented using the Martin method.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Samiei
Department of Computer Eng. and Information Technology, Amirkabir University of Technology
Pedram
Department of Computer Eng. and Information Technology, Amirkabir University of Technology
Naderi
Department of Computer Eng. and Information Technology, Amirkabir University of Technology
Salehi
Department of Computer Eng. and Information Technology, Amirkabir University of Technology