سال انتشار: 1394
کد COI مقاله: REGCMAES02_058
زبان مقاله: فارسیمشاهده این مقاله: 1,408
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 12 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:
مشخصات نویسندگان مقاله معرفی ساختار IGBT
چکیده مقاله:
IGBT به عنوان یک ترانزیستور با قابلیت هدایت در ناحیه جریان – ولتاز بالا و همچنین افت ولتاژ مستقیم متوسط (در حدود 8/1 ولت) قطعه ایده آلی باری بکارگیری در شکبه توزیع محسوب می شود. در کل، ساختار IGBT مشابه تریستورها، متشکل از دو ترانزیستور دو قطبی PNO، NPN و یک MOSFET با گیت عایق شده است. قابلیت تطبیق انواع تجهیزات حفاظتی در مدار اره اندازی گیت IGBT ها یکی دیگر از مزایای آنها به شمار می رود. این مقاله بررسی جامعی از ساختار IGBT را مورد تحقیق قرار داده است. در این مقاله ابتدا چارچوب و خصوصیات IGBT را توصیف می کنیم. اهمیت اصلی مقاله معرفی ویژگی های IGBT و در نهایت معایب و مزیای آن بیان می شود.
کلیدواژه ها:
کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله
کد یکتای اختصاصی (COI) این مقاله در پایگاه سیویلیکا REGCMAES02_058 میباشد و برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:https://civilica.com/doc/420719/
نحوه استناد به مقاله:
در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:رحیمی سلکویه، مرتضی و ضیابری، میرمنصور،1394،معرفی ساختار IGBT،دومین همایش ملی ریاضیات و کاربردهای آن در علوم مهندسی،ساری،https://civilica.com/doc/420719
در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1394، رحیمی سلکویه، مرتضی؛ میرمنصور ضیابری)
برای بار دوم به بعد: (1394، رحیمی سلکویه؛ ضیابری)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :- . A. R. Hefher, Jr., et al., "An experimentally verified ...
- Gate Bipolar Transistor (IGBT): Theory and Design" IEEE Insulatedه [18]. ...
- Meredith, J.R., and Mantel, S.J., " Management: A Managerial Approach", ...
- . B.W. Scharf and J.D. Plummer, IEEE International Solid-State Circuits ...
- . A.Nakagawa et al., "High voltage bipolar-mode MOSFETs with high ...
- . R. W. Erickson and D. Maksimovic, Fundamentas ofPower Electronics, ...
- . Rahul S. Chokhawala, Jamie Catt and Laszlo Kiraly, _ ...
- . R. Chokhawala, J. Catt, and B. Pelly, "Gate drive ...
- . C. Kuratli, Q. Huang, and A. Biber, _ _ ...
- N. McNeil, K. Sheng, B. W. Williams, and S. J. ...
- . A. Biber, C. Kuratli et al., _ gate drive ...
- . by Carl Blake and Chris Bull, International Rectifier, "IGBT ...
- . Professor, GGNIT, Greater Noida, " High-Voltage Switch Using S ...
- . R. W. Erickson and D. Maksimovic, Fundamentas of Power ...
- . N. Mohan, T. Undeland, W. Robbins, :Power Electronics Converters, ...
- . Ned Mohan, Tore M. Undeland, William P. Robbins: "POWER ...
- . Malay Trivedi and Krishina Shenai, "Trade-Off in IGBT Safe ...
- . Malay Trivedi and Krishina Shenai, "IGBT Dynamics For Short-Circuit ...
- . Ferroxcube, Ferroxcube 2009 Data Handbook Data Handbook Sot Ferrites ...
مدیریت اطلاعات پژوهشی
اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.
نظرات خوانندگان
علم سنجی و رتبه بندی مقاله
مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.
مقالات پیشنهادی مرتبط
- طراحی و شبیه سازی آشکارساز نوری فلز-نیمه هادی-فلز برپایه ساختار پلاسمونیک به منظوربهبود پاسخ نوری و الکتریکی آن
- طراحی و شبیه سازی اینورتر های سه فاز و تک فاز
- مدلسازی ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق شده IGBT به عنوان کلیدقدرت درنرم افزار PSPICE
- مزایای استفاده از GaN و AlN در طراحی ترانزیستور HEMT
- شبیه سازی افزاره های سیلیکون روی الماس دو لایه جهت بهینه سازی حرارتی و استفاده در ترانزیستور دو قطبی گیت عایق
مقالات فوق بر اساس داده کاوی مقالات مطالعه شده توسط پژوهشگران محاسبه شده است.
مقالات مرتبط جدید
- New S-ROCK methods for stochastic differential equations with commutative noise
- The network 1-median problem with discrete demand weights and traveling times
- An operational approach for solving fractional pantograph differential equation
- On the finding 2-(k,l)-core of a tree with arbitrary real weight
- Regularization technique and numerical analysis of the mixed system of first and second-kind Volterra-Fredholm integral equations
مقالات فوق اخیرا در حوزه مرتبط با این مقاله به سیویلیکا افزوده شده اند.
به اشتراک گذاری این صفحه
اطلاعات بیشتر درباره COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.