تقویت کننده مد جریانی جدید برای SRAM های توان پایین و ولتاژ پایین
محل انتشار: سیزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1384
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,537
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE13_037
تاریخ نمایه سازی: 27 آبان 1386
چکیده مقاله:
چکیده : در خواندن حافظه های SRAM کاهش توان مصرفی با کاهش ولتاژ تغذیه، باعث وابستگ ی تقویت کننده در انتقال دهنده های جریانی به اطلاعات ورودی می شود ] ۱ [.
این وابستگی سبب بروز خطا در خواندن محتوای حافظه می گردد . در این مقاله یک تقویت کننده مد جریانی با ولتاژ تغذیه 5/1ولت درتکنولوژی µm 0/53 برای خواندن
حافظه های SRAM توان و ولتاژ پایین پیشن هاد و شبیه سازی می شود . برای نشان دادن افزایش سرعت خواندن، کاهش ولتاژتغذیه و کاهش توان مصرفی این مدار نسبت به مدارهای
مشابه قبلی، شبیه سازی این مدار با تکنولوژیهای µm ۵۳ / ۰ وµmنرم افزار Hspice ۵ / ۰ ارائه می شود . نتایج حاصل نشان می دهند که اولاً مدار پیشنها دی در مقایسه با مدارات قبلی در
ولتاژهای تغذیه پائین خطا نداشته، ثانیا سرعت خواندن آن تقریبا ۵۲ درصد بیشتر بوده و سوما توان مصرفی آن در سرعت یکسان تقریبا ۰۴ درصد کمتر است .
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سیروس طوفان
دانشکده برق دانشگاه علم و صنعت
علی افضلی کوشا
گروه مهندسی برق و کامپیوتر دانشکده فنی، دانشگاه تهران
احمد آل احمد
دانشکده برق دانشگاه علم و صنعت ایران
عبدالرضا رحمتی
گروه مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران