سیروس طوفان - دانشکده برق دانشگاه علم و صنعت
علی افضلی کوشا - گروه مهندسی برق و کامپیوتر دانشکده فنی، دانشگاه تهران
احمد آل احمد - دانشکده برق دانشگاه علم و صنعت ایران
عبدالرضا رحمتی - گروه مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران

چکیده : در خواندن حافظه های SRAM کاهش توان مصرفی با کاهش ولتاژ تغذیه، باعث وابستگ ی تقویت کننده در انتقال دهنده های جریانی به اطلاعات ورودی می شود ] ۱ [. این وابستگی سبب بروز خطا در خواندن محتوای حافظه می گردد . در این مقاله یک تقویت کننده مد جریانی با ولتاژ تغذیه 5/1ولت درتکنولوژی µm 0/53 برای خواندن حافظه های SRAM توان و ولتاژ پایین پیشن هاد و شبیه سازی می شود . برای نشان دادن افزایش سرعت خواندن، کاهش ولتاژتغذیه و کاهش توان مصرفی این مدار نسبت به مدارهای مشابه قبلی، شبیه سازی این مدار با تکنولوژیهای µm ۵۳ / ۰ وµmنرم افزار Hspice ۵ / ۰ ارائه می شود . نتایج حاصل نشان می دهند که اولاً مدار پیشنها دی در مقایسه با مدارات قبلی در ولتاژهای تغذیه پائین خطا نداشته، ثانیا سرعت خواندن آن تقریبا ۵۲ درصد بیشتر بوده و سوما توان مصرفی آن در سرعت یکسان تقریبا ۰۴ درصد کمتر است .

کاهش توان مصرفی، SRAM ، تقویت کننده مد جریانی