MOS مدل اصلاح شده توان آلفا برای ترانزیستورهای

در این مقاله تغییری در مدل توان آلفا اعمال می کنیم که ضمن افزایش دقت مدل توان آلفا در ناحیه اهمیک، با وارد کردن آثار کانال کوتاه در مدل، آن را برای استفاده در فن آوری های زیر میکرون مناسب می سازد . این مدل بسته، برای جریان درین افزاره ارائه شده است که در فن آوری های زیر میکرونی از دقت بالاتری نسبت به برخی مدلهای متداول ] ۱ [ برخوردار است . علاوه بر آن این مدل دارای قابلیت کاهش مقی اس ١ می باشد و نسبت به مدل های ] ۲و۳ [ ساده تر است . به منظور بررسی میزان دقت مدل ارائه شده نتایج را با نتایج استخراج شده از hspice مقایسه می کنیم . به عنوان نمونه در مدل ارائه شده متوسط قدر مطلق خطا در فن آوری µm ۵۳ / ۰ برابر ۸ / ۲ درصد است . این مدل تا فن آوری µm ۷۰ / ۰ از دقت کافی بر خوردار است و بنابر این در مقیاس های پایین نیز جواب گو است .