روشی مناسب برای فرایند نازک سازی و صیقلدهی ایندیم آنتیموناید با حداقل ناهمواری سطحی

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 415

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCOLE04_121

تاریخ نمایه سازی: 30 دی 1394

چکیده مقاله:

روشی مناسب برای نازکسازی و صیقلدهی نهایی ایندیم آنتیموناید با استفاده از محلول آلومینیم اکسید ارائه شده است. محلول با ساینده 1 میکرون با خاصیت عاری از انباشتگی از نظر نرخ حذف قابل مقایسه با محلول های معمولی باذرات بزرگتر از ده میکرون است ک برای نازک کاری نیم هادیها مورد استفاده قرار میگیرد.سطحی با حداقل آسیب سطحی و با ناهمواری خیلی کم با استفاده از این محلول و پد نرم حاصل میشود. نتایج آنالیز سطحی با استفاده از AFM نشان داده شده است.

نویسندگان

حسن چنارانی

کارشناسی ارشد دانشگاه تهران

مهدی علیزاده

کارشناسی دانشگاه شهید ستاری

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • W.J. Parrish, J. D. Blackwell, G. T. Kincaid and R.C. ...
  • A.H.Hoffman and D. Randall: Proc.SPIE 1540 (1991) ...
  • S.H. Li and R., Miller, Chemical Mechanical Polishing i Silicon ...
  • P.S. Dutta, G. Rajagopalan, R.J. Gutmann, D. Keller, L. Sweet, ...
  • نمایش کامل مراجع