لایه نشانی و ارزیابی اثر ضخامت لایه نازک کربن شبه الماسی برعملکردسلولهای خورشیدی سیلیکونی

در این تحقیق به منظور بررسی اثر پوشش ضدبازتاب کربن شبه الماسی بر بازدهی سلولهای خورشیدی پلی کریستال 558 ،248 ، از پوشش ضد بازتاب کربن شبه الماسی استفاده شد. لایه نازک کربن شبه الماسی با ضخامتهای 08 P نوعو 1820 نانومتر به وسیله تکنیک رسوب شیمیایی از فاز بخار تقویت شده به کمک پلاسممای فرکمانر رادیویی و با استفاده از مخلوط گازهای متان و هیدروژن بر زیرلایههای سیلیکونی لایه نشانی شد. به منظور ارزیابی امر ضخامتپوشش بر بازدهی سلولها از دستگاه شبیه ساز خورشیدی استفاده شد. نتایج نشان داد با افزایش پوشش بازدهی 8 نانومتر و طیف – در محدوده طول موج 1188 I-V meter نمونهها کاهش پیدا میکند. نتایج حاصل از دستگاههای در محدوده UV-VIS-NIR سنجی cm 1 388-1188 نشان داد با افشایش ضخامت پوشش میزان عبور نور و درصد بازتاب نور از سطح سلولها کاهش پیدا میکند که این امرمنجر به کاهش بازدهی سلولها میشود

کلیدواژه ها:

سلولهای خورشیدی ، بازدهی ، خواص اپتیکی ، RF-PECVD ، کربن شبه الماسی ،