پیاده سازی گیت NOT با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی ارگانیک

امروزه باپیشرفت های علمی، نیاز جامعه علمی، به داشتن ترانزیستورهایی درحد نانومتر، با قابلیت های بالا زیاد شده است. ترانزیستورهای اثر میدانی (MOSFET) که با استفاده از نیمه هادی اکسید فلز طراحی شده اند، با مشکلاتی روبرو هستند که از جمله ی مهمترین آنها قیمت بالای مواد سازنده و ساخت آنهاست. وجود این مشکلات و همچنین علاقه ی کلی که در سالهای اخیر به مواد الکترونیکی سازگار با محیط زیست بوجود آمده است باعث حمایت از گسترش الکترونیک بر پایه ی مواد ارگانیک شده است. نیمه هادی های ارگانیک مزیت های زیاد دیگری ازجمله ساخت آسان و انعطاف پذیری مکانیکی دارند. (ازلحاظ فرآیند ساخت، آنها پیچیدگی کمتری نسبت به تکنولوژی سیلیکون مرسوم دارند). اولین ترانزیستور اثر میدانی ارگانیک (OFET) از پلیمر thiophene ساخته شده است که قادر به هدایت بار است و نیاز به استفاده از مواد گران قیمت را از بین برده است. گیت NOT ساده ترین نوع مدارات منطقی دیجیتال است که اساس و پایه مدارات دیجیتال مدرن می شود. این گیت، پیکربندی های مختلفی دارد، که در اینجا به بررسی اینورتر بار دیودی می پردازیم. نیمه هادی به کار رفته در ساخت این گیت از نوع پنتاسن است. این نیمه هادی از نوع p کانال است، زیرا مواد نوع p پایدارتر از نوع n هستند و موبیلیته ی آنها بالاتر است. گیت NOT تشکیل شده از OFET ها در مقایسه با MOSFET ها ولتاژ عملیاتی بالا و فرکانس سوئیچینگ پایینی دارند. ولی به دلیل داشتن خواص دیگر مورد توجه قرار گرفته اند.

کلیدواژه ها:

ترانزیستورهای اثر میدانی ارگانیک (OFET) ، گیت NOT