Low power high gain UWB LNA for 3.1–10.6-GHz with current reused and forward body bias techniques

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 955

فایل این مقاله در 15 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

COMCONF01_354

تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394

چکیده مقاله:

A low-power ultra-wideband (UWB) low-noise amplifier (LNA) is proposed exploiting a current-reused and forward body bias techniques operating in the frequency range of 3.1-10.6 GHz. The first stage of the UWB LNA employs a resistive shunt feedback topology in conjunction with a parallel LC load to achieve wideband input matching and low noise figure simultaneously. By incorporating the current reused configuration and forward body bias technique in the second stage, the proposed UWB LNA can operate at reduced supply voltage and power consumption while maintaining high gain, low noise. The proposed LNA is designed for UWB applications using 180 nm TSMC CMOS process. The implemented ultra-wideband LNA presents a minimum power gain of 17.65 dB, a high reverse isolation of −31.5 dB and a good input / output return losses are better than −10.1 dB in the frequency range of 3.1–10.6 GHz. An excellent noise figure (NF) of 2.35–2.58 dB was obtained in the required band with a power dissipation of 5.92 mW under a supply voltage of 1 V. An input-referred third-order intercept point (IIP3) is −18 dBm at 6 GHz.

نویسندگان

Firoz Hemmati

Electrical Engineering Faculty Sahand University of Technology Tabriz, Iran

Esmaeil Najafi aghdam

Electrical Engineering Faculty Sahand University of Technology Tabriz, Iran

Nima Souzandeh

Electrical Engineering Faculty Sahand University of Technology Tabriz, Iran

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Taris Thierry (2010). Current reuse topology in UWB CMOS LNA, ...
  • R. A. Scholtz, D.M. Pozar, W. Namgoong (2005) _ _ ...
  • A. Batra et al., Multi-band OFDM physical layer proposal, IEEE, ...
  • A Pourmand, EN Aghdam, A Zahedi, A fully integrated CMOS ...
  • Lee JH, Chen CC, Lin YS. 0.18 um 3.1-10.6 GHz ...
  • A. Bevilacqua, A.M. Niknejad, An ul tra-wide-band CMOS low-noise amplifier ...
  • Qiuzhen Wan , Qingdi Wang , Zhiwei Zheng, Design and ...
  • A. S. Sedra and K C. Smith, M icroelectronic Circuits, ...
  • T. Wang, H. C. Chen, H. W. Chiu, Y. S. ...
  • Chen HK, Lin YS, Lu SS. Analysis and design of ...
  • Andreani P, Sjoland H. Noise optimization of an inductively degenerated ...
  • P. Heydari, "Design and analysis of performance -optimized CMOS UWB ...
  • Wan QZ, Wang CH. Design of 3.1-10.6 GHz ultra-wideband CMOS ...
  • M. Raj ashekharaiah, Gain control and linearity improvement for low ...
  • _ Gonzalez, Microwave Transistor Amplifiers: Analysis and Design, 2nd ed., ...
  • R. Brederlow, W. Weber, J. Sauerer, S. Donnay, P. Wambac, ...
  • Barras D, Ellinger F, Jackel H, Hirt W. A low ...
  • Habib Rastegar, Saeed Saryazdi, Ahmad Hakimi, A low power and ...
  • Amir Homaee, A CMOS 3.1 _ 10.6 GHz UWB LN ...
  • Jaemin Shim, Taejun Yang, Jichai Jeong, Design of low power ...
  • Qiuzhen Wan, Qingdi Wang, Zhiwei Zheng, Design and analysis of ...
  • A. Saberkari, Sh Kazemi, _ S hirmohammad li, M.CE. Yagoub, ...
  • نمایش کامل مراجع