بررسی و شبیه سازی مدل فیزیکی مقاومت حافظه دار و خازن حافظه دار و کاربرد آنها در یک مدار تولید آشوب
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,026
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF01_197
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394
چکیده مقاله:
ممریستور یا مقاومت حافظه دار که به عنوان چهارمین عنصر پایه بعد از مقاومت، خازن و سلف معرفی شده است، یک قطعه دو پایه است که در ابعاد مقیاس نانو ساخته شده است .عناصر دیگری از خانواده عناصر حافظه دار نظیر خازن های حافظه دار و سلف های حافظه دار شناسایی و پیاده سازی شده اند .این المان ها که به قطعات ممریستیو معروف هستند در مقیاس نانو قابل پیاده سازی بوده و به راحتی می توان رفتار آن ها را با مدارات الکترونیکی شبیه سازی کرد .در این مقاله برای اولین بار مدل فیزیکی المان های ممریستیو نظیر ممریستور و خازن حافظه دار در نرم افزار ADS(Advanced Design . System) بررسی شده و در نهایت کاربرد آن ها، در یک نمونه مدار الکترونیکی بررسی و شبیه سازی شده است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
قربد ستوده
اراک دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه صنعتی اراک ایران
علی خاکی صدیق
تهران دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی ایران
محسن نجفی
اراک دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه صنعتی اراک ایران
مسعود دوستی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :