استفاده از اشعه ایکس برای تعیین خلوص در کریستال به روش رشد ناحیه شناور

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,172

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ELECA01_038

تاریخ نمایه سازی: 1 آذر 1394

چکیده مقاله:

در این مقاله، از اشعه ایکس برای تعیین خلوص کریستال در رشد ناحیه شناور استفاده شده است. روش ناحیه شناور یکی از روش های تولید و رشد کریستال است. به منظور بدست آوردن درصد خلوص کریستال مورد نظر برای ساخت انواع تراشه ها و قطعات الکترونیکی این روش مورد بررسی قرار گرفته شده است. کارآیی دیگر این روش به حداقل رساندن هزینه اضافی در رشد کریستال و همچنین کاهش زمانی است که برای ساخت هر بلور طی می شود.

نویسندگان

مرتضی دلسوار

دانشکده فنی‐ مهندسی ،دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل،اردبیل -ایران

علی پیردلخوش

دانشکده فنی‐ مهندسی ،دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل،اردبیل -ایران

رضا سیفی

دانشکده فنی‐ مهندسی ،دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل،اردبیل -ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Shweta Bhandaru, En Xia Zhangو Accelerated Oxidation of SiliconDue to ...
  • S. Kawamura, J. H. Kaneko, M. Higuchi, T. Yamaguchi, J. ...
  • Pyrosilicate Single Crystals, IEEE TRAN SACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, VOL. ...
  • Sohan Kawamura, Junichi H. Kaneko, Mikio Higuchi, Jun Haruna, Shohei ...
  • Daniel de Oliveira, Kary Ocaia1 Eduardo Ogasawara, Jonas Dias1 Fernanda ...
  • Nicola Tartoni, Maurizio Angelone, X-Ray Detection by Using CVD Single ...
  • S.A. Audet, E.M. Schooneveld and S. Middelhoek HI GH -PURITY ...
  • J.H. Howes and F.L. Allsworth, HIGH RE SOLUTION X - ...
  • نمایش کامل مراجع