استفاده از اشعه ایکس برای تعیین خلوص در کریستال به روش رشد ناحیه شناور
محل انتشار: اولین همایش منطقه ای برق و فناوریهای نوین
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,172
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELECA01_038
تاریخ نمایه سازی: 1 آذر 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله، از اشعه ایکس برای تعیین خلوص کریستال در رشد ناحیه شناور استفاده شده است. روش ناحیه شناور یکی از روش های تولید و رشد کریستال است. به منظور بدست آوردن درصد خلوص کریستال مورد نظر برای ساخت انواع تراشه ها و قطعات الکترونیکی این روش مورد بررسی قرار گرفته شده است. کارآیی دیگر این روش به حداقل رساندن هزینه اضافی در رشد کریستال و همچنین کاهش زمانی است که برای ساخت هر بلور طی می شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مرتضی دلسوار
دانشکده فنی‐ مهندسی ،دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل،اردبیل -ایران
علی پیردلخوش
دانشکده فنی‐ مهندسی ،دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل،اردبیل -ایران
رضا سیفی
دانشکده فنی‐ مهندسی ،دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل،اردبیل -ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :