بدست آوردن و مدلسازی پارامترهای پنل فوتوولتائیک

این مقاله یک روش برای مدل سازی و شبیه سازی آرایه های فوتوولتائیک ارائه می دهد. هدف اصلی یافتن پارامترهای معادله غیرخطی I-V به وسیله تنظیم منحنی در سه نقطه اتصال کوتاه، ماکزیمم توان و مدار باز است . این سه نقطه توسط دیتاشیتها ی تجاری ارایه فراهم شده اند . این روش بهترین معادله I-V برای یک مدل وفوتوولتائیک PV تک دیوده که شامل اثر مقاوم های سری و موازی است را می یابد و تضمین می کند که ماکزیمم توان مدل با ماکزیمم توان آرایه واقعی مطابقت دارد . با پارامترهای معادله I-V تنظیم شده می توان یک مدل مداری PV ، با هر شبیه ساز مداری که قادر به اجرای توابع ریاضی باشد، ساخت . این روش مدل سازی شده و مدل مداری پیشنهادشده برای طراحان توان الکتریکی که به یک روش مدلسازی دقیق، سریع و آسان برای استفاده مدر شبیه سازی سیستم های PV نیاز دارند، مفید است . خواننده اطلاعات در مورد قطعات PV و پارامترهای مدل PV تک دیوده می یابد. سپس شبیه سازی و اثبات درستی مدل باداده های تجربی آرا یههای PV تجاری آورده شده است

کلیدواژه ها:

آرایه ، مدار معادل ، مدل سازی ، فتوولتائیکPV شبیه سازی