طراحی یک تقویت کننده ی کم نویز با پهنای باند 01 گیگاهرتز در تکنولوژی 1100 میکرومتری CMOS
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 447
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TEDECE01_336
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله یک تقویت کننده ی کم نویز دو طبقه با پهنای باند بسیار بالا (UWB) ارائه شده است. طبقه ورودی دارای مشخصه گیت مشترک میباشد، بنابراین علاوه بر تطبیق امپدانس ورودی، نویز در فرکانس های بالا به شدت افزایش نمی یابد. با ترکیب طبقه های سورس مشترک و گیت مشترک و استفاده از فقط دو سلف، مشخصه های پهن باند وسیع و مساحت کوچک حاصل می گردد. این A در تکنولوژی 0.18 μm CMOS طراحی شده است.بهره ی توان حاصل بین 11.2-12.4 dB ، عدد نویز بین 4.4-6.5 dB و پهنای باند بین 3.4-10 GHZ می باشد. توان مصرفی این تقویت کننده با یک منبع ولتاژ 1.1 ولت فقط 12 mW می باشد.
کلیدواژه ها:
تقوی ت کننده کم نویز ، طبقه ی سورس مشترک و گیت مشترک و فرا پهن باند
نویسندگان
الهه حیاتی
گروه مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر، بوشهر، ایران
خوشنام شجاعی
گروه مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد، نجف آباد، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :