ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

تحلیل ولتاژ آستانه برای یک ماسفت دوگیتی بدون اتصال با در نظر گرفتن اثرات بارهای تمرکز درون کانال

محل انتشار: کنفرانس ملی فن آوری، انرژی و داده با رویکرد مهندسی برق و کامپیوتر
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 566

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/396111

شناسه ملی سند علمی:

TEDECE01_190

تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394

چکیده مقاله:

دراین مقاله یک مدل دوبعدی برای پتانسیل کانال ماسفت دوگیتی بدون اتصال بابارمحلی بااستفاده ازترکیب روش مدناپایدار و روش تقریب سهمی استخراج شده که برای شرایط کاری زیراستانه تا استانه برقرار است کانال ترانزیستور به سه ناحیه تقسیم شدهاست که درناحیه دوم بارمحلی ناشی ازاثرمیدان یالکتریکی ردین ایجادمیشود که درپتانسیل کانال تاثیر میگذارد پتانسیل الکترونیکی درون کانال ازمجموع دوقسمت پتانسیل کانال بلند و تغییرات پتانسیل بهدلیل اثرجانبی میدان درین حاصل میشود این مدل برای کلیه نقاط کانال و برای حالت متقارن و نامتقارن برقرار است براساس مدل ارایه شده برای پتانسیل رابطه ای تحلیلی برای ولتاژ استانه ترانزیستور بدست آمده است که درآن اثرات بارهای محلی برروی افت ولتاژ استانه وارد شده است تطبیق مناسب نتایج مدل معرفی شده برای پتانسیل کانال وولتاژ استانه درماسفت دوگیتی بدون اتصال با نتایج حاصل ازشبیه سازی این ترازیستور بانرم افزار ATLAS درستی مدل ارایه شده را نشان میدهد

کلیدواژه ها:

نویسندگان

مرضیه طالبی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد گروه فنی مهندسی نجف آباد ایران

سیدامیر هاشمی

دانشگاه شهرکرد دانشکده فنی و مهندسی شهرکرد ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • A. Kranti, R. Yan, C.-W. Lee, I. Ferain, R. Yu, ...
  • J.-P. Colinge, C.-W. Lee, I. Ferain, N. Dehdashti Akhavan, R. ...
  • "Reduced electric field in junctionless transistors, " Appl. Phys. Lett, ...
  • T.-K. Chiang, _ quas i-two-dimens ional threshold voltage model for ...
  • H. Kang, J.-W. Han, Y.-K. Choi, "Analytical threshold voltage model ...
  • T.-K. Chiang, _ compact model for threshold voltage of surroundinggate ...
  • J.-H. Woo, J.-M. Choi, Y.-K. Choi, "Analytical Threshold ...
  • S. M ohammadiana, A. Afzali-Kusha, S. Mohammadib, _ asymmetric 3-T/4-T ...
  • Microelectrone _ Reliability 51 , pp. 543-549, 2011. ...
  • J. He, F. Liu, J. Zhang, J. Feng, J. Hu, ...
  • H.-S. P. Wong, "Beyond the conventional transistor, CMOS ...
  • Karitha Ramasamy, Cristina Crespo, _ 'TDouble-Gate MOSFET, " Portland State ...
  • T.-K. Chiang, _ new two-dimens ional subthreshold behavior model for ...
  • K. Suzuki, T. Tanaka, Y. Tosaka, H. Horie, Y. Arimoto, ...
  • A. Ts ormpatzoglou, CA. Dimitriadis, R. Clerc, Q. Rafhay, G. ...
  • J. Duarte, S.-J. Choi, Y.-K. Choi, _ Full-Range Drain Current ...
  • Y.-S. Jean, C.-Y. Wu, "The thresh old-voltage model of MOSFET ...
  • A. Tsormp atzoglou, CA. Dimitriadis, R. Clerc, G. Pananakakis, G. ...
  • MOSFETs, " IEEE Trans, Electron Dev, vol. 55, no. 9, ...
    • نمایش کامل مراجع