حذف اثر القای مغناطیسی ناشی از سوییچ زنی درآرایه 2×2 دیودهای فلاکسونی
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 465
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF02_352
تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394
چکیده مقاله:
دراین مقاله شبیه سازی یک آرایه 2×2 از دیودهای فلاکسونی در بایاس معکوس جهت حذف اثرات ناشی از سوییچ زنی جریان کنترل و بایاس انجام شده است که در آن جریان القایی ناشی ازدیود اول باجریان آستانه روشن شدن دیودهای مجاور مقایسه می گردد. به ازای چگالی جریان بحرانی 1/5KA/cm2 مشاهده گردید با انتخاب یک پیکره بندی مناسب مانند توزیع جریان بایاس و کنترل 700μm و 100μm در نقطه کار مطلوب جریان القایی ناشی از سوییچ زنی کمتر از آستانه جریانی روشن شدن دیودهای مجاور خواهد بود، در صورتی که باانتخاب یک پیکره بندی نامناسب مانند توزیع جریان بایاس و کنترل 100μm و 600μm جریان القایی می تواند منجر به روشن شدن دیود با جریان بایاس مشابه شود. بدین ترتیب انتخاب یک پیکره بندی مناسب منجر به حذف اثرات القایی موجود و در نتیجه عملکرد صحیح آرایه خواهد شد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
زهرا لباف
دانشگاه صنعتی مالک اشتر
علیرضا عرفانیان
دانشگاه صنعتی مالک اشتر
حامد مهرآرا
دانشگاه صنعتی مالک اشتر
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :