تقویت کننده کم نویز پهن باند در باند فرکانسی 2.7- 6.2 گیگا هرتز با استفاده ازطبقات دیفرانسیلی

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 578

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

AIHE09_131

تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394

چکیده مقاله:

تقویت کننده کم نویز با توپولوژی گیت مشترک گین بوست شده دیفرانسیلی با استفاده از تکنیک مصرف دوباره جریان جهت کاهش توان مصرفی مدار و پهنای باند عریض از محدوده فرکانسی (2.7 تا 6.2 گیگا هرتز)به پهنای باند 3.5 گیگا هرتز در این مقاله ارائه شده است.در این ساختار از یک تقویت کننده گیت مشترک که با بهره گیری از طبقه سورس مشترک بعنوان تقویت کننده افزایش دهنده گین به صورت دیفرانسیلی و تکنیک استفاده جریان طبقه سورس مشترک در طبقه گیت مشترک استفاده شده است.با استفاده از ترانزیستورهای کانال کوتاه و شبکه فیلترینگ بین طبقات نویز تولیدی به شدت کاهش یافته است این تقویت کننده در تکنولوژی TSMC CMOS 0.18 umطراحی شده است . مقادیر S11 از مقدار 9 الی S12,-4db از مقدار 20- الی 35db ، S21 مقدار 15db؛ S22 مقدار 0 الی NF, -18db مدار کمتر از 5db، پهنای باند مدار به مقدار 3.5 گیگا هرتز و ولتاژمصرفی 1.8 ولت می باشد.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده کم نویز- پهنای با ند عریض- طراحی مدارت رادیویی

نویسندگان

سلمان فراهانی

دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی الکترونیک ،دانشکده برق ،دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساوه

یونس گنج دانش

عضو هیئت علمی گروه الکترونیک، دانشکده برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساوه

مجید فولادیان

عضو هیئت علمی گروه مخابرات ،دانشکده برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساوه

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Anders, N., Markus To:., Henrik S(2012) A 0.7 to 3 ...
  • with an LNA linearized by positive feedback. Analog Integr Circ ...
  • Mirzaei, A., Chen, X., Yazdi, A., Chiu, J., Leete, J., ...
  • Batra, A. et al. (2004). Multi-band OFDM physical layer proposal ...
  • Tang, S.-K., Pun, K.-P., Choy, C.-S., Chan, C.-F., & Leung, ...
  • Bevilacqua, A., et al. (2006). A fully integrated differential CMOS ...
  • Jeong, M. I., et al. (2008). Design of UWB switched ...
  • نمایش کامل مراجع