بررسی ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی ماسفتی مبتنی بر نانو لوله های کربنی

رشد سریع فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی و ورود به مرز فناوری نانو، همراه با مزایای دور از انتظاری که برای این فناوری به دنبال داشته، چالش‏های فراوانی را فرا روی متخصصین الکترونیک قرار داد. برخی از این چالش ها مربوط به فرایند فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی و بخشی نیز مربوط به کوچک شدن ابعاد ترانزیستورها است که منجر به افزایش اثرات کانال کوتاه و جریان نشتی خواهد شد.افزایش این مسائل پژوهشگران را به فکر جایگزینی، مواد جدیدی به منظور استفاده در مدارهای الکترونیکی و ترانزیستورها انداخت. از جمله این مواد نانولوله های کربن می باشد. هدف کلی این مقاله بررسی ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانو لوله های کربنی در حالت بالستیک به منظور کاهش جریان Ambipolar می باشد. به همین منظور اثر تغییرات ضخامت، ثابت دی الکتریک، تراکم اتمی در سمت درین مورد بررسی قرار داده می شود. با افزایش ضخامت پهنای ناحیه تونل زنی در سمت سورس ودرین افزایش می یابد که این امر منجر به کاهش جریان Ambipolar می شود و با کاهش ثابت دی الکتریک جریان روشنایی، با ایجاد برآمدگی در فصل مشترک ناحیه سورس- اکسید کم می شود. با کاهش تراکم اتمی در سمت درین نیز جریان Ambipolar به دلیل افزایش پهنای ناحیه تونل زنی به میزان قابل توجهی کاهش می یابد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی ، جریان Ambipolar