آنالیز تغییرات آماری تصادفی در مدارهایتقویت کننده تفاضلی نانومتری

با پیشرفت تکنولوژی مدارهای مجتمع و ورود ترانزیستورها به مقیاس های نانومتری، تغییرات آماری تصادفی افزاره ها به علت محدودیت در تکنولوژی ساخت و تغییرات تصادفی ناشی از نوسانات پروسه ساخت به طور چشمگیری افزایش پیدا کرده است. افزایش این تغییرات باعث تغییر در مشخصه های خروجی مدار می شود. در این مقاله سعی شده است که به کمک شبیه سازی یک مدار تقویت کننده الکترونیکی و استفاده از 1000 مدل فشرده متفاوت برای ترانزیستورهای MOSFET در تکنولوژی 35 نانومتر، تغییرات آماری پارامترهای مهم مدار از لحاظ نحوه توزیع آماری، بررسی و آنالیز گردیده و مدل وابستگی آماری بین پارامترهای مهم مدار نیز بصورت گرافیکی نمایش داده شود. تحلیل تغییرات آماری پارامترهای خروجی مدار و وابستگی آنها، دارای نتایج مستقیم در کاهش هزینه و زمان طراحی مدار بوده و حائز اهمیت فراوانی است.

کلیدواژه ها:

تغییرات آماری ، تقویت کننده تفاضلی ، وابستگی آماری ، توزیع آماری