آنالیز تغییرات آماری تصادفی در مدارهایتقویت کننده تفاضلی نانومتری

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 585

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

INDMATH02_007

تاریخ نمایه سازی: 28 شهریور 1394

چکیده مقاله:

با پیشرفت تکنولوژی مدارهای مجتمع و ورود ترانزیستورها به مقیاس های نانومتری، تغییرات آماری تصادفی افزاره ها به علت محدودیت در تکنولوژی ساخت و تغییرات تصادفی ناشی از نوسانات پروسه ساخت به طور چشمگیری افزایش پیدا کرده است. افزایش این تغییرات باعث تغییر در مشخصه های خروجی مدار می شود. در این مقاله سعی شده است که به کمک شبیه سازی یک مدار تقویت کننده الکترونیکی و استفاده از 1000 مدل فشرده متفاوت برای ترانزیستورهای MOSFET در تکنولوژی 35 نانومتر، تغییرات آماری پارامترهای مهم مدار از لحاظ نحوه توزیع آماری، بررسی و آنالیز گردیده و مدل وابستگی آماری بین پارامترهای مهم مدار نیز بصورت گرافیکی نمایش داده شود. تحلیل تغییرات آماری پارامترهای خروجی مدار و وابستگی آنها، دارای نتایج مستقیم در کاهش هزینه و زمان طراحی مدار بوده و حائز اهمیت فراوانی است.

نویسندگان

بهروز محبوبی

دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی الکترونیک، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه کاشان

داریوش دیدبان

استادیار گروه مهندسی الکترونیک، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه کاشان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Proceedings of the IEEE, vol. 97, pp. 1687-1714, 2009. X. ...
  • C. C. Enz and , C. Temes, "Circuit techniques for ...
  • and Applications, IEEE Transactions on, vol. 40, pp. 1-12, _ ...
  • International Symposium on, 1990, pp. 320-312. ...
  • G. Meyer-Brotz and A. Kley, "The common-mode rejection of transistor ...
  • M. J. Pelgrom, A. C. Duinmaijer, and A. P. Welbers, ...
  • P. R. Kinget, "Device mismatch and tradeoff in the design ...
  • P. Kinget and M. Steyaert, Analog VLSI integration of massive ...
  • B. Cheng, D. Dideban, N. Moezi, C. Millar, et. al, ...
  • نمایش کامل مراجع