بررسی عدم تطبیق ناشی از ولتاژ بدنه در ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق با طول کانال 54 نانومتر

در این مقاله برای اولین بار عدم تطبیق در خروجی ترازیستورهای سیلیکون روی عایق نیمه تخلیه با طول کانال 54 نانومتر بررسی می شود.عدم تطبیق یک فاکتور محدود کننده در رسیدن به هدف برای طراحان مدار می باشد.با توجهبه مزیت هایی که ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق نسبت به ترانزیستورهای بدنه سیلیکون از خود نشان داده اند در بسیاری از کاربردها استفاده از این ترانزیستورها مناسب تر می باشد.هرچند وجود یک لایه عایق که ترانزیستور را از لحاظالکتریکی نسبت به بدنه نیمه هادی ایزوله می کند,عامل اصلی برتری این تکنولوژی نسبت به تکنولوژی بدنه سیلیکوناست,اما این لایه عایق باعث بروز عیوبی می شود که پدیده خودگرمایی و بدنه شناور از جمله آن می باشد. تولید حامل های اکثریت )حفره ها در ترانزیستور با کانالNبه علت پدیده یونیزاسیون برخوردی در نزدیک درین ،موجب افزایش پتانسیل بدنه و کاهش ولتاژ آستانه می گردد. در این مقاله برای به حداقل رساندن اثرات بدنه شناور که ناشی از عدم اتصال بدنه به یک ولتاژ مناسب می باشد,از اتصال بدنه موسوم بهH-gateاستفاده شده است.در این مقاله با استفاده از نرم افزارISE- TCADکه یک نرم افزار کاربردی در طراحی ادوات نیمه هادی می باشد ولتاژ بدنه در عرض های مختلف شبیه سازی و مشاهده می شود با افزایش عرض ترانزیستور ولتاژ بدنه افزایش یافته و باعث ایجاد عدم تطبیق در خروجی قطعه شبیه سازی شده می شود.و همچنین مشاهده می شود هرچه عرض ترانزیستور افزایش می یابدDIBLافزایش یافته که مطلوب نیست با افزایش عرض ترانزیستور جریان خاموشی ترانزیستور نیز افزایش می یابد که باعث افزایش توان مدارات می گردد

کلیدواژه ها:

ترانزیستور ، سیلیکون روی عایق ، ولتاژ بدنه ، عدم تطبیق