اثر کاهش سد درین در ماسفت های گالیم نیتراد
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 749
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IAUFASA02_002
تاریخ نمایه سازی: 17 اسفند 1393
چکیده مقاله:
در این مقاله یک مدل تحلیلی از ماسفت گالیم نیتراید برای تعیین رفتارDIBLتوسعه داده شده است. این مدل تحلیلی ، ولتاژ آستانه را برای قطعه کانال کوتاه ، به نسبتL/a ترکیب می کند. به درین، ولتاژVDS را اعمال کرده وnd تشکیل می گردد که پایه ای برای طراحی مدار و قطعات کانال کوتاه می باشد. این مدل، همچنین شامل معادله پوازون 4 می باشد تا به دقت ناحیه الکتریکی در قسمت درین و اثرات diblراتعریف کند مدل DIBL درقطعات MOS برای درک اثرDIBL دستگاه های CMOS کانال کوتاه توسعه داده شده است تا کنون هیچ مدل تئوری برای ماسفت های با شکاف انرژی بزرگتر ارائه نشده است. این مدل تحلیلی، برای توسعه قطعاتMOSFETوMESFETدر مقیاس های نانو، در آینده مفید است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
احمدرضا رمضانپور
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا،فسا ، ایران
محسن معصومی
عضو هیت علمی گروه برق و الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد جهرم، جهرم، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :