اثر کاهش سد درین در ماسفت های گالیم نیتراد

در این مقاله یک مدل تحلیلی از ماسفت گالیم نیتراید برای تعیین رفتارDIBLتوسعه داده شده است. این مدل تحلیلی ، ولتاژ آستانه را برای قطعه کانال کوتاه ، به نسبتL/a ترکیب می کند. به درین، ولتاژVDS را اعمال کرده وnd تشکیل می گردد که پایه ای برای طراحی مدار و قطعات کانال کوتاه می باشد. این مدل، همچنین شامل معادله پوازون 4 می باشد تا به دقت ناحیه الکتریکی در قسمت درین و اثرات diblراتعریف کند مدل DIBL درقطعات MOS برای درک اثرDIBL دستگاه های CMOS کانال کوتاه توسعه داده شده است تا کنون هیچ مدل تئوری برای ماسفت های با شکاف انرژی بزرگتر ارائه نشده است. این مدل تحلیلی، برای توسعه قطعاتMOSFETوMESFETدر مقیاس های نانو، در آینده مفید است.

کلیدواژه ها:

ماسفت ، گالیم نیتراید ، کاهش سد درین ، قطعات کانال کوتاه ، DIBL