A Wide-Band Optimized Distributed Amplifier in 0.13 –μm CMOS Technology
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 974
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
DCEAEM01_233
تاریخ نمایه سازی: 18 دی 1393
چکیده مقاله:
A 1-25 GHz performance-optimized CMOS distributed amplifier (DA) comprising bandwidth-enhanced cascade cells demonstrated. In this study instead of single resistance, an RL terminating network is used for the gate termination line in order to decrease noise figure (NF).Besides, Deploying the bandwidth extension capacitor, Optimization in cascade gain cells ,utilization of bulk-biasing technique, optimization of transistors width and usages of negative-capacitors leads to a flat and high
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Mahmood Reza Pourbagher
Electrical Engineering Department Kerman Graduate University of Technology, KGUT Kerman, Iran
Ahmad Hakimi
Electrical Engineering Department Shahid Bahonar University of Kerman Kerman, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :