A Wide-Band Optimized Distributed Amplifier in 0.13 –μm CMOS Technology
عنوان مقاله: A Wide-Band Optimized Distributed Amplifier in 0.13 –μm CMOS Technology
شناسه ملی مقاله: DCEAEM01_233
منتشر شده در اولین کنفرانس سراسری توسعه محوری مهندسی عمران، معماری،برق و مکانیک ایران در سال 1393
شناسه ملی مقاله: DCEAEM01_233
منتشر شده در اولین کنفرانس سراسری توسعه محوری مهندسی عمران، معماری،برق و مکانیک ایران در سال 1393
مشخصات نویسندگان مقاله:
Mahmood Reza Pourbagher - Electrical Engineering Department Kerman Graduate University of Technology, KGUT Kerman, Iran
Ahmad Hakimi - Electrical Engineering Department Shahid Bahonar University of Kerman Kerman, Iran
خلاصه مقاله:
Mahmood Reza Pourbagher - Electrical Engineering Department Kerman Graduate University of Technology, KGUT Kerman, Iran
Ahmad Hakimi - Electrical Engineering Department Shahid Bahonar University of Kerman Kerman, Iran
A 1-25 GHz performance-optimized CMOS distributed amplifier (DA) comprising bandwidth-enhanced cascade cells demonstrated. In this study instead of single resistance, an RL terminating network is used for the gate termination line in order to decrease noise figure (NF).Besides, Deploying the bandwidth extension capacitor, Optimization in cascade gain cells ,utilization of bulk-biasing technique, optimization of transistors width and usages of negative-capacitors leads to a flat and high
کلمات کلیدی: CMOStechnology, Distributed Amplifier, Noise Figure, negative-capacitors, Optimization
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/325834/