A New Structure for Controlling Lattice Temperature in Double Gate MOSFET on SOI Technology

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,105

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

DCEAEM01_131

تاریخ نمایه سازی: 18 دی 1393

چکیده مقاله:

A new structure of the double gate (DG) transistor on SOI technology is proposed in this paper. In SOI technology, buried oxide as insulating layer has lower thermal conductivity than silicon and makes some problems for nano-scale MOSFETs. Incorporating a silicon window under the channel region and two spacers reduces maximum temperature of device. The simulation with ATLAS simulator shows that by optimizing the length and thickness of the silicon window, an acceptable device temperature would be achieved and makes the double gate structure more reliable for nanoscale applications at high temperature

نویسندگان

Meysam Zareiee

School of Engineering, Damghan University, Damghan, Iran