مطالعه تاثیر ضخامت بر ویژگی های الکتریکی دیودهای شاتکی نقره/سیلیکون ساخته شده به روش تبخیر حرارتی

در این پژوهش، سه دیود شاتکی نقره/ سیلیکون با انباشت 3 لایه نازک نقره به ضخامت های 360،300 و 400 نانومتر برروی زیرلایه سیلیکون نوع -P با جهت کریستالی ( 100 ) به روش تبخیر حرارتی و یک لایه آلومینیوم با ضخامت 120 نانومتر بر پشت هرزیرلایه به روش کند وپاش جریان مستقیم ساخته شده است. پارامترهای اصلی دیود شامل: فاکتور ایده آلn مقاومت متوالی Rs وسدپتانسیل Фb برای هر یک از دیود های ساخته شده با استفاده از دو روش آنالیز جریان- ولتاژ و توابع چونگ محاسبه شدند.برای هریک از سه ضخامت 300,360 و 400 نانومتر مقادیر فاکتور ایده آل و سد پتانسیل از آنالیز جریان- ولتاژ به ترتیب برابر3/8,0/63ev و2/058و0/70ev,1/01,0/73ev وباتوابع چونگ به ترتیب برابر 3/46و0/63evو2/42و0/70evو0/73و0/82ev بدست آمده است. همچنین مقدار مقاومت متوالی بطور میانگین از توابع چونگ برای هریک از سه ضخامت 300و360و400نانومتر به ترتیب برابر 07و53و10/2اهم ح اصل شد مقایسه مقادیر بدست آمده از توابع چونگ و نمودارهای حاصل از آنالیز جریان- ولتاژ نشان داده است که با افزایش ضخامت سدپتانسیل دیود شاتکی افزایش یافته و از مقدار مقاومت متوالی دیود کاسته شده است که در نتیجه دیود ایده آل تری تشکیل شده است

کلیدواژه ها:

ضخامت ، دیود شاتکی ، مقاومت متوالی ، فاکتور ایده آل ، سد پتانسیل